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OFweek电子工程网讯：供应链透露，台积电下半年将进入史上最密集的资本支出期，今年资本支出将超过原订定的120亿美元（约新台币3，720亿元）上限，达到130亿美元（约新台币4，030亿元），增幅近一成，是历来最大手笔。 相较于英特尔释出近期展望保守，台积电积极投资，将竖立同业难以跨越的 资本支出障碍 。台积电订本周四（16日）举行法说会，资本支出预料将成为焦点；台积电强调，资本支出是否上修，须经董事会讨论决定，才会对外公布。 图／经济日报提供 供应链指出，台积电今年资本支出主要用于8／12寸产能布建、先进制程研发，以及先进封装产能。为了拉开与英特尔、三星这两只 业界大猩猩 的差距，台 积电近期加速10纳米研发及生产线建置脚步，连同16纳米，今年底前将为苹果等大客户建立月产5万片产能，需要庞大银弹奥援，因此加码资本支出。 台积电原订今年资本支出首度超越英特尔，成为全球资本支出最高的半导体制造商。一旦台积电调升今年资本支出至130亿美元，将比原估计增加约一成，透露台积电力拚先进制程、对接单有信心。 台积电加快先进制程脚步，据了解，正加速在南科14厂P6至P7厂装设16纳米机台，其中作为16纳米制程练兵、为大陆手机芯片大厂海思生产的网通处理器， 预定6月以低成本版的16纳米FinFET（鳍式场效电晶体）先行试产，紧接着在7月主力制程16 FinFET+开始投片量产。 台积电规划，16纳米FinFET+产能到今年第4季达到每月5万片，明年第1季再推升到8.7万片，到明年中达近10万片。 10纳米制程方面，供应链透露，台积电近期集结重兵，调集10纳米研发团队进驻竹科，将被视为未来踢开三星并向英特尔看齐的10纳米试产线，提前在今年6月于竹科12寸厂试产，同时将把相关经验复制至中科厂，缩短10纳米量产时程。

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